描述：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Silicore先进的VDMOS技术生产，为设计人员提供了卓越的开关性能、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益。
特点：
- 在VGS=10V时，600V，2.0A，Rdson=4.5Ω（典型值）
- 低栅极电荷
- 快速切换
- 坚固的栅极氧化物技术100%雪崩测试
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这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Silicore先进的VDMOS技术生产，为设计人员提供了卓越的开关性能、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益。
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