描述：
这种功率MOSFET是使用Msemitek先进的TRENCH生产的技术，这项先进技术经过特别定制，可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
特点：
- N通道：200V 9A
- RDS（开启）典型值=220mΩ@VGS=10V
- 极低导通电阻RDS（On）
- 低铬
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用：
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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这种功率MOSFET是使用Msemitek先进的TRENCH生产的技术，这项先进技术经过特别定制，可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
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