型号

描述

电压范围

输出功率（THD+N=10%）

输出功率（THD+N=1%）

通道数

控制端

封装形式

SCN9N20L

这种功率MOSFET是使用Msemitek先进的TRENCH生产的技术

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PDFN8(5*6)

SCU3N90C/SCD3N90C

SCU3N90C/SCD3N90C是一种高电压功率MOSFET

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TO251 / TO252-2

SCU2N60E/SCD2N60E

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Silicore先进的VDMOS技术生产，

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TO251 / TO252-2

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